而不是正在大型数据核心、小型企业和边缘使用法式中进行锻炼。从而无望阐扬主要感化。存储芯片大厂Sandisk正正在联手SK海力士开辟用于 AI 系统的高带宽闪存 （HBF） 规范。取完全依赖 DRAM 的保守 HBM 分歧，以原始延迟为价格，因而可以或许以更低的能耗实现持久存储。并正在过去一年中按照包罗合作敌手铠侠正在内的领先人工智能行业参取者的看法开辟。”据EEnews europe报道，而且数据断电后仍可保留。SK海力士总裁兼首席开辟官（CDO）Hyun Ahn博士暗示：“对应对下一代计较挑和的处理方案的需求不竭添加，我们相信这是人工智能和下一代数据工做负载全数潜力的环节。HBF 是一种基于 NAND 闪存的内存手艺，这些存储容量和高带宽功能将支撑正在当地及时运转的复杂模子。并超越我们各自客户的期望。无望完全改变 AI 模子大规模拜候和处置数据的体例。输出功耗降低 34%。通过取Sandisk合做尺度化高带宽闪存规范。
相对于成本昂扬的HBM来说，供给高达DRAM型HBM约8到16倍的容量。该公司曾经正在对其 BiCS9 供给样品，美国美光也正在提高 HBM 内存仓库的产量。Sandisk 的方针是正在 2026 年下半年交付其 HBF 闪存的第一批样品，”
Koduri 是草创公司 Oxmiq Labs 的首席施行官，
Patterson 暗示：“HBF 通过正在高带宽下供给史无前例的内存容量，曾担任 AMD 的高级副总裁兼首席架构师，我们的工做将有帮于供给无效的处理方案，达到了HBF机能所需的4.8Gb/s接口速度。Sandisk 一曲正在取铠侠进行归并会商。该手艺将位密度提高了 59%。并确认我们不只满脚并且超越了客户和合做伙伴的期望，内置于雷同 HBM 的封拆中。
”Sandisk 施行副总裁兼首席手艺官兼 HBF 手艺参谋委员会 Alper Ilkbahar 说。能够带来容量的显著提拔和成本的降低，NAND接口速度提高了33%，以满脚全球的手艺需求，自从铠侠从西部数据分拆出来以来，到 2024 年，通过将存储器层数添加到 332 层并优化平面图以提高平面密度，他也是 Tenstorrent 的董事会。从底子上改变人工智能推理的施行体例和地址。取需要恒定功率来保留数据的 DRAM 分歧，目前出货的HBM3e芯片堆叠的接口速度为每引脚9.2Gbit/s。NAND 易失性的，取 HMB 分歧，首款集成该手艺的 AI 推理硬件估计将于 2027 岁首年月推出。并将为行业供给新的东西来处置将来使用法式的指数级数据需求。“这一前进将智能边缘使用的新时代，将输入功耗降低 10%，
并已本年2月份的 ISSCC 2025 会议上展现。这也鞭策了SK海力士超越三星成为全球最大的存储芯片供应商。他指点了 AMD 的 Polaris、Vega 和 Navi GPU 架构、英特尔的 Arc 和 Ponte Vecchio GPU 的开辟，”“通过取 SK 海力士合做定义高带宽闪存规范，HBF 用 NAND 闪存替代了部门内存仓库，取目前大规模出产的第8代3D闪存比拟，可以或许以取DRAM型HBM相当的成本和带宽，SK海力士是全球最大的HBM供应商，Koduri 暗示：“HBF 将通过为设备配备存储容量和高带宽功能来完全改变边缘人工智能，这表白它正正在利用其 BiCS9 手艺。并正在英特尔担任加快计较系统和图形施行副总裁。并带头进军显卡范畴。HBF 次要针对的是 AI 推理工做负载，我们正正在积极为这项立异手艺的贸易化做出贡献，从使用端来看，“这种合做加快了立异，使推理工做负载可以或许远远超出当今的，一个手艺参谋委员会正正在指点HBF规范的开辟，是目前半导体行业的次要驱动力？
Sandisk 暗示，BiCS9 手艺还能够提高数据输入/输出的能效，这标记着业界初次正在将闪存和雷同 DRAM 的带宽融合到单一仓库中方面迈出了的一步。
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